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串行SPI MRAM在绝大多数设计里，从来不是"存东西的地方"，而是那个必须在掉电瞬间保住数据、而且根本来不及做擦除的位置。SPI NOR Flash在部分场景能顶，但写前必须擦（毫秒级），掉电窗口内经常写不完，擦写寿命在10的五次方量级，频繁记录必须上磨损均衡加ECC，软件复杂度直接上一个台阶。EEPROM在低容量简易场景可行，但写周期5到10毫秒，耐久性10的六次方量级，同样扛不住高频记录。FRAM/FeRAM读写无延迟，中低容量可以用，但容量密度上不去、供应链高度集中，高温数据保持是需要重点评估的一项。SRAM加电池、或者nvSRAM加超级电容，功能上没问题，代价是多一颗电源管理IC、多一颗电池或电容，占板面积大，还有电池寿命到了之后的整机维护成本。BBSRAM模块体积大、成本高，含电池还要背运输与回收的合规负担。

MRAM的全称是Magnetoresistive RAM，磁阻随机存取存储器。它用电子自旋的磁化方向来存储比特，而不是像Flash那样靠浮栅里困住的电荷。这个物理机理的差异，直接换来了四个Flash和EEPROM无法同时给出的特征：
1、非易失。串行SPI MRAM掉电即保持，不需要电池也不需要超级电容。这意味着后备电源电路可以整体删掉，省BOM、省面积、免维护。
2、写入无延迟。不需要擦除，写入即刻生效。串行SPI MRAM掉电前的最后一刻，母线电容上还剩一点余量，计量值、故障码、累计数据必须在这几毫秒里写进去，Flash做不到，MRAM做得到。
3、近乎无限的耐久性。以NETSOL的串行系列为例，标称写耐久10的14次方次，读无限制。工程上完全不需要做磨损均衡算法，也不需要外挂ECC。
4、长周期数据保持。十年以上（85℃），足以覆盖工业设备十到二十年的生命周期要求。