企业官网建设流程全解析

门极可关断晶闸管GTO

晶闸管的一种派生器件;

通过在门极施加负的脉冲电流使其关断;

开关速度快，饱和程度相比晶闸管浅，更容易退出饱和关断;

电压电流容量大，与普通晶闸管接近。

图左是晶闸管 ， 图右是GTO

主要参数

• 最大可关断阳极电流IAT0

用来标称GT0额定电流。

• 电流关断增益βoff

最大可关断阳极电流IATO与门极负脉冲电流最大值IGMf之比。

βoff一般很小，只有5左右，这是GT0的一个主要缺点。

原因：如果最大可关断阳极电流是1000A的话，如果我们想要关断这个器件，就要施加200A的电压

电力晶体管GTR

• 在应用中，GTR一般采用共发射极接法。

• 集电极电流Ic与基极电流Ib之比为

β是电流放大系数

给这张图要知道每个区在什么位置

• GTR的工作区域:饱和区和截止区

• GTR导通时通常工作在准饱和区:此时容易退出饱和状态实现迅速关断;

• 为了避免工作在放大区功耗过大而损害器件，在导通截止两种状态转化过程中应该迅速通过放大区。

二次击穿现象

当GTR的集电极电压升高至击穿电压时，集电极电流迅速增大，这种首先出现的击穿是雪崩击穿，被称为一次击穿。出现一次击穿后，只要I不超过与最大允许耗散功率相对应的限度，GTR一般不会损坏。

但是实际应用中常常发现一次击穿发生时如不有效地限制电流，I.增大到某个临界点时会突然急剧上升，同时伴随着电压的陡然下降，这种现象称为二次击穿。二次击穿常常立即导致器件的永久损坏。内部出现电流集中点，引起局部过热使GTR彻底损坏，管壳却觉不到热。对GTR危害极大。

安全工作区（SOA）

了解即可

二次击穿临界线Psb

最高电压UceM

集电极最大电流IcM

最大集电极耗散功率PcM

电力场效应晶体管

1. 小功率MOS管（模电）是横向导电器件，电力MOSFET（电力电子）大都采用垂直导电结构，面积大，电流大

2. 多胞结构

3. 栅极绝缘

4. 低掺杂，电阻率大，耐压高;电力场效应管是一种单极性器件，所以无电导调制效应，通态电阻大

5. 反并联的二极管

输出特性:是漏极伏安特性。

非饱和区(对应于GTR的饱和区)，非饱和是指漏源电压增加时漏极电流相应增加。

饱和区(对应于GTR的放大区)饱和是指漏源电压增加时漏极电流不再增加

截止区(对应于GTR的截止区)

通态电阻具有正温度系数，对器件并联时的均流有利。

绝缘栅双极晶体管IGBT

IGBT是GTR与MOSFET组成的达林顿结构，一个由MOSFET驱动的PNP晶体管。

优缺点（IGBT ， GTR ， GTO ，MSOFET）

IGBT:电压驱动，驱动功率小，开关速度低于电力MOSFET，电流容量低于GTO

GTR :电流驱动，驱动功率大，开关速度低，耐压高，电流大

GTO：电流驱动，驱动功率大，具有电导调制效应，电流增益小，开关速度低，

电力MOSFET：开关速度高，电压驱动 ，驱动简单，适用于10kw的电力电子装置