半导小新网站可以用来查看规格书或者嘉立创
1、RS485:
1)主从模式,只能单一主机可以多个从机
2)主机收发信息都会占用AB线,所以为半双工模式
3)在差分信号中,逻辑0和逻辑1是用两根信号线(A+和B-)的电压差来表示。
- 逻辑 1:两根信号线(A+和B-)的电压差在+2V~+6V之间。
- 逻辑 0:两根信号线(A+和B-)的电压差在-2V~-6V之间。
4)节点中的串口控制器使用 RX 与 TX 信号线连接到 485 收发器上,而收发器通过差分线连接到网络总线。
这个上面的SN65HVD3088EDR是收发器,负责将逻辑信号转换为差分信号或者将差分信号转换为逻辑信号
1) RE/DE控制脚:发送数据高电平有效,接受数据低电平有效;所以可以把这两个引脚并在一起一起控制,给一种状态即可控制两个引脚
2)485通讯需要平衡电阻,在差分终端挂120电阻
3)在测试方面我们一般会测,控制信号质量测试, 时序逻辑测试(控制角与收发波形的关系),短路测试
5、IIC :开漏输出 采样位置:SCL高电平期间。非SCL上升沿或者下降沿期间
所有的I²C通信都始于一个明确的动作——起始条件(START Condition),终于停止条件(STOP Condition)。它们不是普通的数据位,而是靠SDA在SCL高电平时的跳变来识别的特殊事件。
1----起始条件:SCL拉高,SDA拉低识别
2----停止条件:SCL拉高,SDA由低变高
采样点:SCL上升沿采样SDA数据
6、mos的SOA曲线
这篇文章对于SOA曲线的各种参数讲解的很仔细,可参考
MOS管的安全工作区SOA详解(一)限制线介绍-电源网星球号
SOA:是指MOS的安全工作区(Safe Operating Area),安全工作区指的是曲线与横轴跟纵轴所围成的面积,用来评估MOS管工作状态是否安全,是否有电应力损坏风险
SOA示意图:
SOA曲线图一般由五种限制线组成:Rds(on)限制线,电流限制线,功率限制线,热稳定限制线,击穿电压限制线;
Rds(on)是指MOS导通的时候,ds之间的等效电阻值,这个会导致MOS发热和失效,所以这个阻值越小越好,
1)Rds(on)限制线:它受器件的导通电阻限制,这条线通常取的是最大允许结温下的导通电阻,具有恒定斜率是因为这条线上的点代表的阻值是一样的
R_ds(on)是会随着结温以及Vgs变化的,所以我们一般会取结温为150℃,VGS=10V时候的R_ds(on)
当VGS减小,则RDS会变大
如果结温变低,这个电阻会变小
2)最大电流限制线:MOS管所能承受的最大脉冲漏极电流Idm
3)最大功率限制:斜率为-1,直线上每个点都表示相同的恒定功率,功耗由散热能力与封装耐热性决定
4)热稳定限制线:简单理解来说就是器件工作的电压电流要限制在这条线里面,不能超过这条线,否则就会因为热不稳定发生损坏
5)击穿电压限制线:指管子的耐压线,ds电压不能超过规格书给出的要求范围
7、什么是结温
百度百科对于结温解释:
7、电流采样与电压采样原理,经典电路
电流采样电路:
1)电流传感放大器:芯片:SGM840AXTS8G/TX
工作原理:
1)Isense根据我们实际在输出端带了多大电流得到
2)Rsense与G根据规格书具体到芯片的型号得到
3)Vbas是根据实际电路对应规格书的参考电路得到(有四种参考方式)
这个Vbas总共有四种参考方式
1)Vbas等于外部参考电压
2)Vbas=VS电压的一半
3)Vbas=参考电压的一半
4)out电压直接被采集到
2)过流保护检测电路:芯片:LMV331
迟滞电压:是指一个比较器或者开关电路输出从一个状态反转到另外一个状态的阈值电压
LMV331:比较器:通过比较两个输入端信号,并通过判断两个输入信号谁更高能输出相应的逻辑状态
同相输入端:in+:同相输入端电压
反向输入端:in-:反向输入端电压
VT1上限触发电压 VT2下限触发电压
1)此配置下,输入信号加在反相输入端(-),参考电压加在同相输入端(+)。
2)此配置下,输入信号加在同相输入端(+),参考电压加在反相输入端(-)。
3)这个芯片ACS711ELCTR-25AB-T既可以做电流采样也可做电流保护
4)电压采样电路:分压电阻采样
8、三极管在电路中发挥什么作用,NPN,与PNP开通原理
放大和开关。它通过基极的小电流(或电压)来控制集电极-发射极之间的大电流,从而实现各种功能。
9、对比MOS管
10、电感重要参数解读
11、usb的otg与烧录(adb),串口打印功能功能的区别
USB 的otg:让设备既可做主机也可做从机
烧录:对芯片烧录程序,设备做devices被调试,区分host还是device要看是谁主动发起和控制通信
串口打印:基于UART协议进行数据传输
12、电池AFE
AFE:电池前端采集芯片,直接接触电芯,采集电芯的基础信息,比如电压,温度等等
13、芯片过载电流设计参数参考
15、适配器与电池充电过程
由适配器主导,电池跟随
1)充电前的准备:检测电池是否存在 检测电池电压 温度识别电池是否处于异常情况
2)锂电池(锂电池有两种:磷酸铁锂和三元锂,三元锂的能量密度更高)充电过程一般是先cc后cv
16、电池的电压和容量跟电芯的关系
1)电芯并联改变容量,不改变电池总电压
2)电芯串联改变电压,但是不改变电池总容量
16、otg口,跟usb调试口,怎么区分host或者devices、
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