企业官网建设流程全解析

阿秒科技 SWIR0503AU 短波红外相机搭载索尼 IMX991 SenSWIR 芯片，采用 Cu‑Cu 直接键合技术，为 InP 层薄膜化提供了工艺支持，使更多可见光能够透过 InP 层并到达 InGaAs 吸收层。得益于这一技术设计，相机实现了 400–1700 nm 的宽光谱成像，能够在同一成像系统中获取可见光与短波红外波段的信息，为多波段成像与材料检测提供更多可能。

一、传统短波红外相机的900nm光谱起点

InGaAs是短波红外成像领域常用的光电探测材料，能够将入射光转换为电信号。但在传统 InGaAs 探测器结构中，InGaAs 光电二极管层通常需要在 InP（磷化铟）基板上外延生长。对于采用传统结构的器件，残留的 InP 层会对短波光产生吸收，限制可见光到达下方的 InGaAs 吸收层。

当 400‑780 nm 范围内的可见光入射时，部分光线会被 InP 层吸收，无法有效到达 InGaAs 吸收层。因此，传统 InGaAs 探测器通常难以在可见光波段保持较高的响应度，实际应用中的有效响应范围往往从约 900 nm 开始。

二、 InP 层薄膜化实现400nm

索尼SenSWIR技术将光谱短波限扩展至400 nm的关键，在于对受光面一侧InP层实施薄膜化处理，降低该层对短波入射光的吸收，使更多可见光波段的入射光能够以较低损耗透射至InGaAs吸收层。索尼官方技术资料明确指出，通过InP层薄膜化，器件在可见光波段具备较高量子效率，从而实现400–1700 nm的宽波段响应。

InP层薄膜化的工艺前提，是Cu‑Cu直接键合替代传统铟凸点键合。传统凸点键合依赖凸点的物理高度与间距来保证互连可靠性，对芯片堆叠的厚度余量与顶层减薄空间形成约束。Cu‑Cu键合采用平面化铜焊盘直接压合，键合界面几乎不贡献额外光学厚度，从而为顶层InP层的减薄提供了可行的工艺条件。

400nm-1700nm成像原理图

根据索尼公开的 SenSWIR 相关技术资料，Cu‑Cu 直接键合与 InP 层薄膜化相结合，使传感器能够在保持短波红外探测能力的同时，提升可见光波段的响应，最终实现约 400–1700 nm 的宽光谱响应。

三、阿秒科技SWIR0503AU相机

阿秒科技 SWIR0503AU 短波红外相机搭载索尼 IMX991 SenSWIR，光谱响应范围为 400–1700 nm。得益于传感器在可见光响应和短波红外探测方面的技术设计，该相机能够覆盖从可见光到短波红外的宽光谱范围。这一宽波段覆盖能力意味着，用户可以利用同一台相机获取可见光与短波红外信息，而不必仅为跨越这两个波段而分别配置不同的成像设备。对于需要比较不同波段下材料反射特性、识别目标差异或观察特定光谱特征的应用，这种能力能够为系统集成和多波段成像提供更多选择。

例如，在材料检测与分选中，可见光能够提供目标的颜色、纹理等信息，而短波红外光则可补充部分材料内部组成、含水状态或光谱反射差异等信息。